Блог
Горяева А.М., Виноград В.Л., Еремин Н.Н., Урусов В.С
AB-INITIO РАСЧЁТ ДАВЛЕНИЯ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ ДЛЯ ВЫСОКОБАРНЫХ МОДИФИКАЦИЙ ДИОКСИДОВ ЦИРКОНИЯ И ГАФНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТЕОРИИ ФУНКЦИОНАЛА ЭЛЕКТРОННОЙ ПЛОТНОСТИ
Диоксиды циркония и гафния очень близки по своим химическим и физическим свойствам, а также структурным параметрам. Известные в обычных условиях фазы ZrO2 и HfO2 изоструктурны. Характерной особенностью этих соединений является наличие большого количества высокобарных и высокотемпературных полиморфных модификаций, физические свойства которых сильно отличаются друг от друга.
Экспериментальное определение областей стабильности и физических свойств соединений в условиях высоких давлений является весьма затруднительным, поэтому теоретические расчёты играют немаловажную роль для предсказания областей стабильности и возможных полезных свойств, которыми обладают модификации данных соединений. В настоящей работе представлены результаты теоретических ab-initio расчётов для трёх модификаций диоксидов циркония и гафния: моноклинной фазы mon (структурный тип бадделеита), и двух высокобарных ромбических модификаций OI и OII (структурный тип котуннита), существование которых подтверждено как экспериментальными данными, так и теоретическими расчетами. [Ohtaka, 2001a, b; Jayaraman, 1993; Jaffe ,2005; Terki, 2006; Joongoo Kang , 2003]
Для оценки давлений фазовых переходов моноклинная фаза mon ↔ ромбическая фаза OI ↔ ромбическая фаза OII для ZrO2 и HfO2 была проведена серия ab-initio расчетов с применением теории функционала электронной плотности (DFT) в PBE приближении [Perdew,1996] при различных давлениях: 0, 5, 10, 15 и 20 ГПа. Расчеты проводились на суперкомпьютерном комплексе НИВЦ МГУ – суперкомпьютере СКИФ МГУ в режиме удаленного терминала с использованием программного пакета CASTEP [Clark, 2005]. Полученные результаты, представленные в таблице 1.
Таблица 1.
Давления (ГПа) фазовых переходов ZrO2 и HfO2
ZrO2 | mon ↔OI | OI↔OII | |
ab-initio | PBE, настоящая работа | 8,81 | 13,31 |
GGA [ Jaffe ,2005] | 6,64 | 9,2 | |
GGA [ Terki, 2006] | 7,92 | 12,15 | |
эксперимент | X-Ray [Ohtaka, 2001a] | 4,00 | 12,5 |
HfO2 | mon↔OI | OI↔OII | |
ab-initio | PBE, настоящая работа | 4,68 | 7,73 |
GGA [ Joongoo Kang , 2003] | 3,80 | 10,60 | |
эксперимент | Рамановская спектроскопия [ Jayaraman, 1993] | 4,30 | 12,0 |
X-Ray [ Ohtaka, 2001b] | 4,00 | 14,50 |
Полученные результаты неплохо коррелируют с другими расчётными данными, хотя обычно дают несколько более высокие значения давлений превращений по сравнению с экспериментальными значениями давления.
В работе также исследовано изменение структурных параметров элементарной ячейки после полиморфных превращений. Изменение параметров a, b, c и объёма элементарных ячеек V диоксидов циркония и гафния при повышении давления представлено на рисунке 1 и на рисунке 2 а, б. Отчетливо наблюдаемое «расщепление» параметров ячейки в процессе фазовых переходов может указывать на существенные различия физических свойств полиморфных модификаций, а также является свидетельством возможного проявления анизотропии физических свойств у высокобарных модификаций, в том числе упругих и оптических.
Кроме того, в работе приведены расчётные данные упругих характеристик, модуля всестороннего сжатия B и модуля сдвига G исследуемых соединений. Согласно полученным данным, ромбическая фаза OII диоксида гафния со структурным типом котуннита может оказаться одним из наиболее твёрдых оксидных материалов из числа известных к настоящему времени.
Литература
- Clark S. J., Segall M. D., Pickard K. J. //«First principles methods using CASTEP», Z.Kristallogr. (2005), Vol. 220, P. 567–570
- Jaffe J. E., R. A. Bachorz// «Low-temperature polymorphs of ZrO2 and HfO2: а density-functional theory study», Phys. Rev. B (2005), Vol. 72, P. 144107
- Jayaraman A., Wang S.Y., Sharma S.K., and Ming L.C.// «Pressure-induced phase transformations in HfO2to 50 GPa studied by Raman spectroscopy», Phys. Rev. B (1993), Vol. 48, P. 9205-9511
- Joongoo Kang, Lee E.-C., Chang K. J.// «First-principles study of the structural phase transformation of hafnia under pressure», Phys. Rev. B (2003), Vol. 68, P. 054106 (1-8)
- Ohtaka O., Fukui H., Kunisada T., Fujisawa T.// «Phase relations and equations of state of ZrO2under high temperature and high pressure», Phys. Rev. (2001a), B 63, 174108 (1-8)
- Ohtaka O., Fukui H., Kunisada T., Fujisawa T., Funakoshi K., Utsumi W., Irifune T.// «Phase relations and volume changes of hafnia under high pressure and high temperature», J. Am. Ceram. Soc. (2001b), Vol. 84, P. 1369.
- Perdew P. J., K. Burke, Ernzerhof M.//«Generalized Gradient Approximation Made Simple», Phys. Rev. Let. (1996), Vol. 77, P. 3865-3868.
- Terki R., Bertrand G., Aougrag H., Codder C.// «Structural and electronic properties of zirconia phases: a FP-LAPW investigations», Mater. Sci. Semicond Process. (2006), Vol. 9, P. 1006-1013.
Подписи к рисункам
Рисунок 1. Изменение объёма элементарной ячейки ZrO2 и HfO2 с повышением давления, нормированное к объёму ячейки Vo равновесной моноклинной фазы.
Рисунок 2. а) зависимость параметров элементарной ячейки от давления (нормированная к числу формульных единиц) для ZrO2; б) для HfO2.